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NTR4501NT1G中文资料

NTR4501NT1G图片

NTR4501NT1G外观图

  • 大小:63.7KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: MOSFET, N, 20V, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:3.2A; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:1.25W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:1.2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:80 毫欧 @ 3.6A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:200pF @ 10V
  • 功率 - 最大:1.25W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NTR4501NT1GOSTR

NTR4501NT1G供应商

更新时间:2023-01-08 21:17:14
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